| 专利名称 |
一种聚碳硅烷的合成方法 |
| 申请时间 |
2016-03-14 |
公开日期 |
2016-05-11 |
授权公告日 |
2016-05-11 |
| 申请人 |
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| 发明人 |
徐虹;李博弘;王超;曹先启;杨杰;陈泽明;李淑辉;李猛;梅立鑫;单雯妍;吕宏飞;白雪峰 |
| 申请号 |
CN201610141671.9 |
公开号 |
CN105566637A |
授权公告号 |
CN105566637B |
| 专利类型 |
发明公开;发明授权 |
| 申请摘要 |
一种聚碳硅烷的合成方法，它涉及一种以聚二甲基硅烷为原料制备聚碳硅烷的方法。本发明是为了解决现有合成聚碳硅烷产率低、热稳定性差的技术问题，本方法：一、在高压釜中，加入聚二甲基硅烷和铁粉，高压釜用二氧化碳气体置换3~6次，开始加热，1小时内升温，并保温，然后降温再重新加热，保温，然后冷却至室温；二、将步骤一反应所得的产物溶解在一定量的二甲苯中，过滤后得到澄清透明的溶液，加入相同体积的乙醇溶液，析出棕黄色固体产物，即得聚碳硅烷。本发明以聚二甲基硅烷，然后在高温高压下转变为聚碳硅烷，得到分子量分布窄，热稳定性好的聚碳硅烷。聚碳硅烷产率可达52.8%。本发明属于聚碳硅烷的合成领域。 |
| 主权项 |
一种聚碳硅烷的合成方法，其特征在于一种聚碳硅烷的合成方法按照以下步骤进行：一、在高压釜中，加入50g聚二甲基硅烷和0.5g?100目~200目的铁粉，高压釜用二氧化碳气体置换3~6次，开始加热，1小时内升温至260℃~270℃，并保温3~3.5小时，至高压釜内的压力为1MPa，然后降温至50℃~60℃，放出高压釜中的气体，再重新加热，4小时内升温至480℃~560℃，在压力为4.8MPa~6MPa、温度为480℃~560℃的条件下，保温9h~11h，然后冷却至室温；二、将步骤一反应所得的产物溶解在100ml二甲苯中，过滤后得到澄清透明的溶液，加入100ml乙醇溶液，析出棕黄色固体产物，即得聚碳硅烷。 |
| 申请人地址 |
黑龙江省哈尔滨市香坊区中山路164号 |
| 法律状态 |
无权-未缴年费 |
| 全文链接 |
查看CN201610141671.9 |
